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       李澤宏教授一直從事功率器件和功率集成電路的研究，并作為主研進(jìn)行了國家自然科學(xué)基金、重點(diǎn)實(shí)驗室基金、裝備發(fā)展部預(yù)研項目和國家863計劃信息技術(shù)領(lǐng)域超大規(guī)模集成電路設(shè)計專項等多個項目的研究，發(fā)表多篇內(nèi)容精辟的學(xué)術(shù)論文。
       此次李教授主要圍繞功率MOSFET、Rectifier、IGBT和SiC器件的基本結(jié)構(gòu)及相關(guān)知識展開，重點(diǎn)對MOSFET新型器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計、特性描述、工藝方法和未來趨勢進(jìn)行了詳細(xì)解讀。就特微電子現(xiàn)有功率MOS型號進(jìn)行了剖析，以及如何在現(xiàn)有產(chǎn)線條件下擴(kuò)大產(chǎn)品種類，給出了寶貴的建議。李教授深入淺出、通俗易懂的講解風(fēng)格，令所有參訓(xùn)人員受益匪淺。大家積極互動，就很多熱點(diǎn)問題和困惑之處發(fā)表了自己的見解和觀點(diǎn)。